IT之家 10 月 10 日消息，长鑫存储在 4F² DRAM 结构研发上取得了重要突破。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表了演讲，详细介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 结构以及混合键合等领域的技术探索与积累，并正式宣布预计年底将推出融合这些先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

根据曹堪宇博士的介绍，长鑫从成立之初就开始进行 4F² 的研究和专利布局，公开的专利族数量超过 300 件，领先于国内外同行。长鑫在 2021 年发布了大陆首篇关于 4F² 结构的论文，并在 2023 年和 2025 年的两篇论文中分享了在该结构上的研发进展。

IT之家查询了解到，目前行业主流的 DRAM 单元采用 6F² 结构。在 DRAM 芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）构成。4F² 意味着每个单元只占据 4 倍最小特征尺寸的平方，从而提高了存储密度。从 6F² 到 4F² 的转变是一次根本性的变化，原有的 6F² 工艺无法直接沿用，需要全新的器件和工艺体系。

据悉，在研发过程中，长鑫存储对多项核心工艺流程进行了深入的技术探索和突破，全面优化了包括字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺，以实现最佳的性能和功耗比。

此次演讲没有提及长鑫即将推出的 DDR5 RDIMM 的规格信息和具体发布时间。不过，DDR5 RDIMM 作为服务器市场的主流配置，这意味着，长鑫将 4F² 结构的首代产品定位为 DDR5 RDIMM，将直接面对服务器内存领域的高技术门槛和工程挑战。